单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）220mA（Ta）460mA（Ta）5.6A（Ta），7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27 毫欧 @ 5A，10V1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V3.5 欧姆 @ 220mA，10V4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.06V @ 250µA1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 4.5 V19.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V+16V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V50 pF @ 10 V63 pF @ 10 V745 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Ta）1.3W（Ta），2.5W（Tc）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
91,890
现货
1,188,000
工厂
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28953
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
418,019
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDV304P
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23
onsemi
54,168
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85790
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
460mA（Ta）
2.7V，4.5V
1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±8V
63 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
Vishay Siliconix
28,291
现货
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12899
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.6A（Ta），7.5A（Tc）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 5A，10V
2.2V @ 250µA
19.5 nC @ 10 V
+16V，-20V
745 pF @ 15 V
-
1.3W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。