单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 27.5A，10V74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.7 nC @ 4.5 V37 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
744 pF @ 20 V1510 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
480mW（Ta）48W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220F-3TO-236AB
封装/外壳
TO-220-3 整包TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV65XP,215
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
258,689
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77622
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
1.8V，4.5V
74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±12V
744 pF @ 20 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220F
FDPF55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220F
onsemi
4,197
现货
1 : ¥14.78000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
55A（Tc）
10V
22 毫欧 @ 27.5A，10V
4V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±25V
1510 pF @ 25 V
-
48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。