单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
28 V30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）310mA（Ta）320mA（Ta）360mA（Ta）1.6A（Ta）3.1A（Ta）3.8A（Ta）63A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 50A，10V10.9 毫欧 @ 46A，10V65 毫欧 @ 3.8A，10V75 毫欧 @ 4.2A，10V88 毫欧 @ 1.6A，4.5V220 毫欧 @ 1.6A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2.1V @ 250µA2.3V @ 49µA2.4V @ 250µA2.5V @ 25µA3.5V @ 45µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V2.5 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 4.5 V19.8 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V60 pF @ 25 V290 pF @ 25 V305 pF @ 5 V563 pF @ 25 V839 pF @ 15 V2500 pF @ 50 V4400 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）260mW（Ta）260mW（Ta），830mW（Tc）350mW（Ta）1.08W（Ta）1.15W（Ta）1.3W（Ta）78W（Tc）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-TDSON-8PG-TDSON-8-1SOT-23-3SOT-323TO-236ABTSOT-26
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
464,806
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33697
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
944,830
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP3099L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
331,048
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
243,630
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48192
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-323
BSS123W-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
466,039
现货
1,383,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57277
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
35,350
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16184
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
220 毫欧 @ 1.6A，10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PG-TDSON-8-1
BSC109N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8-1
Infineon Technologies
31,939
现货
1 : ¥13.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.23745
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
63A（Tc）
6V，10V
10.9 毫欧 @ 46A，10V
3.5V @ 45µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
78W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
SOT-323
2N7002PW,115
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
164,741
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.44161
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TSOT-26
DMP3105LVT-7
MOSFET P-CH 30V 3.1A TSOT23-6
Diodes Incorporated
33,060
现货
123,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81628
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.1A（Ta）
2.5V，10V
75 毫欧 @ 4.2A，10V
1.5V @ 250µA
19.8 nC @ 10 V
±12V
839 pF @ 15 V
-
1.15W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SOT-323
DMN3150LW-7
MOSFET N-CH 28V 1.6A SOT323
Diodes Incorporated
30,874
现货
2,322,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
28 V
1.6A（Ta）
2.5V，4.5V
88 毫欧 @ 1.6A，4.5V
1.4V @ 250µA
-
±12V
305 pF @ 5 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
BSC0805LSATMA1
BSC0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A SUPERSO8
Infineon Technologies
17,602
现货
1 : ¥14.28000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.20226
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 49µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4400 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。