单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesPanjit International Inc.
系列
-SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
停产在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A(Tj)4A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
90 毫欧 @ 2.6A,10V100 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 20µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.1 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
380 pF @ 25 V509 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
1.8W(Ta)3.1W(Ta)
供应商器件封装
PG-SOT223-4SOT-223
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
PJW4N06A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4,823
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.00443
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4A(Ta)
4.5V,10V
100 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
±20V
509 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT-223-4
BSP318SH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Infineon Technologies
935
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.07796
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.6A(Tj)
4.5V,10V
90 毫欧 @ 2.6A,10V
2V @ 20µA
20 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 25 V
-
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。