单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PowerTrench®TrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）3.9A（Ta）6A（Ta）7.2A（Ta）20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 20A，10V23.5 毫欧 @ 7.2A，4.5V29.8 毫欧 @ 3A，4.5V93 毫欧 @ 1.5A，4.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.6 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V45 nC @ 4.5 V260 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V290 pF @ 10 V840 pF @ 10 V2945 pF @ 10 V7540 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）1W（Ta）1.7W（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICDFN2020MD-6SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
761,021
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
72,141
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
FDS6681Z
MOSFET P-CH 30V 20A 8SOIC
onsemi
23,383
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.78992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
260 nC @ 10 V
±25V
7540 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
45,100
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54485
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.9A（Ta）
1.5V，4.5V
93 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 1mA
4.6 nC @ 4.5 V
±8V
290 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
6-DFN2020MD_View 2
PMPB20XPEZ
MOSFET P-CH 20V 7.2A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
18,804
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.31103
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
7.2A（Ta）
1.8V，4.5V
23.5 毫欧 @ 7.2A，4.5V
900mV @ 250µA
45 nC @ 4.5 V
±12V
2945 pF @ 10 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。