单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Panjit International Inc.STMicroelectronics
系列
-STripFET™ III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
Digi-Key 停止提供在售
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A（Ta），42A（Tc）20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35 毫欧 @ 4A，10V25 欧姆 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20.5 nC @ 10 V31 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
970 pF @ 25 V1519 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），83W（Tc）4.3W（Ta），70W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
DFN5060-8PowerFlat™（5x6）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerFlat™
STL8N10LF3
MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6
STMicroelectronics
2,852
现货
1 : ¥15.11000
剪切带（CT）
3,000 : ¥6.79852
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
20A（Tc）
5V，10V
35 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
20.5 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 25 V
-
4.3W（Ta），70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
DFN5060-8
PJQ5476AL_R2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Panjit International Inc.
639
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.80732
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.5A（Ta），42A（Tc）
4.5V，10V
25 欧姆 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
31 nC @ 10 V
±20V
1519 pF @ 30 V
-
2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN5060-8
8-PowerVDFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。