单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
GeneSiC SemiconductorInfineon Technologiesonsemi
系列
-CoolSiC™G3R™SuperFET® III, FRFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A（Tc）58A（Tc）90A（Tc）127A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V15V15V，18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18.4 毫欧 @ 54.3A，18V36 毫欧 @ 50A，15V56毫欧 @ 35A，20V150 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.69V @ 12mA4，3V @ 10mA5V @ 540µA5.2V @ 23.4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V106 nC @ 20 V145 nC @ 18 V155 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
±15V+20V，-5V+25V，-15V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1762 pF @ 800 V1985 pF @ 400 V3901 pF @ 800 V4580 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
192W（Tc）319W（Tc）400W（Tc）455W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-PQFN（8x8）PG-TO247-4-8TO-247-4TO-247-4L
封装/外壳
4-PowerTSFNTO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,603
现货
1 : ¥184.97000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
90A（Tc）
15V
36 毫欧 @ 50A，15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
921
现货
1 : ¥312.63000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
127A（Tc）
15V，18V
18.4 毫欧 @ 54.3A，18V
5.2V @ 23.4mA
145 nC @ 18 V
+20V，-5V
4580 pF @ 25 V
-
455W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
PG-TO247-4-8
TO-247-4
4-PQFN
NTMT150N65S3HF
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
2,874
现货
1 : ¥53.77000
剪切带（CT）
3,000 : ¥26.19287
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
24A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 12A，10V
5V @ 540µA
43 nC @ 10 V
±30V
1985 pF @ 400 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
4-PQFN（8x8）
4-PowerTSFN
TO-247-4
NVH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
364
现货
1 : ¥145.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
58A（Tc）
20V
56毫欧 @ 35A，20V
4，3V @ 10mA
106 nC @ 20 V
+25V，-15V
1762 pF @ 800 V
-
319W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。