单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedLittelfuse Inc.Wolfspeed, Inc.
系列
-C3M™PolarTrench
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
30 V100 V150 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A（Ta）22A（Tc）49A（Tc）60A（Tc）62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 25A，10V26.5 毫欧 @ 5.8A，10V40 毫欧 @ 31A，10V60 毫欧 @ 17.6A，15V157 毫欧 @ 6.76A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA3.6V @ 1.86mA3.6V @ 4.84mA4.5V @ 50µA5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V28 nC @ 15 V49 nC @ 10 V63 nC @ 15 V70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V+19V，-8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
640 pF @ 400 V860 pF @ 15 V1621 pF @ 600 V2250 pF @ 25 V2650 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
720mW（Ta）98W（Tc）176W（Tc）350W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3TO-247-4LTO-263AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-4TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3042L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Diodes Incorporated
231,424
现货
684,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
2.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5.8A，10V
1.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±12V
860 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
C3M0065100K
C3M0120065K
650V 120M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
607
现货
1 : ¥77.33000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
22A（Tc）
15V
157 毫欧 @ 6.76A，15V
3.6V @ 1.86mA
28 nC @ 15 V
+19V，-8V
640 pF @ 400 V
-
98W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0045065K
GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
461
现货
1 : ¥161.56000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
49A（Tc）
15V
60 毫欧 @ 17.6A，15V
3.6V @ 4.84mA
63 nC @ 15 V
+19V，-8V
1621 pF @ 600 V
-
176W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-263AB
IXTA62N15P
MOSFET N-CH 150V 62A TO263
Littelfuse Inc.
272
现货
1 : ¥40.55000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
62A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 31A，10V
5.5V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
2250 pF @ 25 V
-
350W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263AB
IXTA60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO263
Littelfuse Inc.
5
现货
1 : ¥22.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
10V
18 毫欧 @ 25A，10V
4.5V @ 50µA
49 nC @ 10 V
±30V
2650 pF @ 25 V
-
176W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。