单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®NexFET™TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IVTrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150µA（Ta）320mA（Ta）2.3A（Ta）3.3A（Ta）5A（Ta）12A（Tc）29.7A（Tc）30A（Ta），60A（Tc）76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，2.5V1.8V，4.5V3V，8V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 10A，10V8.9 毫欧 @ 10A，4.5V14.5 毫欧 @ 8A，4.5V26.5 毫欧 @ 5A，10V30 毫欧 @ 4A，8V33 毫欧 @ 4.4A，10V57 毫欧 @ 2.3A，2.5V1.6 欧姆 @ 300mA，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
750mV @ 11µA900mV @ 250µA1.15V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2.2V @ 250µA2.4V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1.7 nC @ 2.5 V2.7 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V23.2 nC @ 10 V36.2 nC @ 10 V90 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V+10V，-8V±12V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V60 pF @ 10 V340 pF @ 15 V529 pF @ 10 V1020 pF @ 15 V1382 pF @ 20 V1710 pF @ 15 V1790 pF @ 10 V2340 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）330mW（Ta）500mW（Ta）700mW（Ta）2.4W（Ta），17W（Tc）2.8W（Ta），69W（Tc）3.5W（Ta），19W（Tc）5W（Ta），43W（Tc）15.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
6-WSON（2x2）8-VSONP（3x3.3）PG-SOT23PowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SC-70-6 单PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-323U-DFN2020-6（E 类）
封装/外壳
6-PowerUDFN6-WDFN 裸露焊盘8-PowerVDFNPowerPAK® SC-70-6PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
936,608
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
U-DFN2020-6 Type E
DMP4047LFDE-7
MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
53,332
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47738
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3.3A（Ta）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 4.4A，10V
2.2V @ 250µA
23.2 nC @ 10 V
±20V
1382 pF @ 20 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6（E 类）
6-PowerUDFN
SOT-23-3
BS170FTA
MOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
Diodes Incorporated
20,567
现货
66,000
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.10904
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
150µA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD25402Q3A
MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON
Texas Instruments
52,494
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98824
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
76A（Tc）
1.8V，4.5V
8.9 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
9.7 nC @ 4.5 V
±12V
1790 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
PowerPak SC-70-6 Single
SIA469DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
172,774
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79015
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Tc）
4.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±20V
1020 pF @ 15 V
-
15.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6 单
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
BSS806NEH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
68,278
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71241
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta）
1.8V，2.5V
57 毫欧 @ 2.3A，2.5V
750mV @ 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-WSON
CSD17313Q2T
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Texas Instruments
24,739
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
250 : ¥4.21896
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
3V，8V
30 毫欧 @ 4A，8V
1.8V @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
340 pF @ 15 V
-
2.4W（Ta），17W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
PowerPak SC-70-6 Single
SIA437DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 29.7A PPAK SC70
Vishay Siliconix
5,000
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.07360
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
29.7A（Tc）
1.5V，4.5V
14.5 毫欧 @ 8A，4.5V
900mV @ 250µA
90 nC @ 8 V
±8V
2340 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），19W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK SO-8
SIRA10BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A/60A PPAK SO8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.52021
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
3.6 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
36.2 nC @ 10 V
+20V，-16V
1710 pF @ 15 V
-
5W（Ta），43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。