单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）8A（Ta），24.7A（Tc）10.3A（Ta）30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13 毫欧 @ 10A，10V15.8 毫欧 @ 8.1A，10V30 毫欧 @ 4.5A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）2V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V36.9 nC @ 10 V68.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V1200 pF @ 15 V1450 pF @ 25 V3426 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）1W（Ta）1.7W（Ta），16W（Tc）75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
MLPAK33POWERDI3333-8PowerFlat™（5x6）SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
131,111
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49896
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMP4013LFG-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
Diodes Incorporated
65,056
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.85341
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
10.3A（Ta）
4.5V，10V
13 毫欧 @ 10A，10V
3V @ 250µA
68.6 nC @ 10 V
±20V
3426 pF @ 20 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-Power VDFN
PXP015-30QLJ
P-CHANNEL TRENCH MOSFET
Nexperia USA Inc.
6,979
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.54708
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Ta），24.7A（Tc）
4.5V，10V
15.8 毫欧 @ 8.1A，10V
2V @ 250µA
36.9 nC @ 10 V
±25V
1200 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），16W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
PowerFlat™
STL30P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
STMicroelectronics
10,058
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.43268
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
30A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 4.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
75W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。