单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesSTMicroelectronics
系列
CoolMOS™ C3PowerMESH™
漏源电压（Vdss）
800 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）54.9A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 32.6A，10V2.5 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 3.3mA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
89.3 nC @ 10 V288 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3255 pF @ 25 V7520 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
320W（Tc）500W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO247-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AUIRFP4310Z BACK
SPW55N80C3FKSA1
MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3
Infineon Technologies
527
现货
1 : ¥114.60000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
54.9A（Tc）
10V
85 毫欧 @ 32.6A，10V
3.9V @ 3.3mA
288 nC @ 10 V
±20V
7520 pF @ 100 V
-
500W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW9N150
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
STMicroelectronics
63
现货
1 : ¥82.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
8A（Tc）
10V
2.5 欧姆 @ 4A，10V
5V @ 250µA
89.3 nC @ 10 V
±30V
3255 pF @ 25 V
-
320W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。