单 FET,MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A(Tc)70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.8 毫欧 @ 70A,10V33 毫欧 @ 27A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 150µA4V @ 29µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24 nC @ 10 V91 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1570 pF @ 50 V7720 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
58W(Tc)100W(Tc)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD068P03L3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Infineon Technologies
6,368
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.29510
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
70A(Tc)
4.5V,10V
6.8 毫欧 @ 70A,10V
2V @ 150µA
91 nC @ 10 V
±20V
7720 pF @ 15 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD33CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Infineon Technologies
29,907
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.05030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
27A(Tc)
10V
33 毫欧 @ 27A,10V
4V @ 29µA
24 nC @ 10 V
±20V
1570 pF @ 50 V
-
58W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。