单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
77 毫欧 @ 4.2A，10V1.5 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.15 nC @ 5 V24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21 pF @ 5 V864 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
690mW（Ta）700mW（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
NVR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
onsemi
18,957
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.51739
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4V
1.5 欧姆 @ 10mA，4V
1.4V @ 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3130LQ-7
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
Diodes Incorporated
43,388
现货
414,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02253
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
2.5V，10V
77 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±12V
864 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。