单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesQorvoVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
40 V150 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Tc）72A（Tc）85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 33A，10V23 毫欧 @ 50A，12V77 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA5V @ 250µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V37.8 nC @ 15 V110 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
595 pF @ 20 V1414 pF @ 400 V4460 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.25W（Ta），2.5W（Tc）259W（Tc）350W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKD2PAK-7SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
27,855
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.52884
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
4.4A（Tc）
4.5V，10V
77 毫欧 @ 3.1A，10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 20 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4321TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Infineon Technologies
780
现货
1 : ¥30.38000
剪切带（CT）
800 : ¥18.35513
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
85A（Tc）
10V
15 毫欧 @ 33A，10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±30V
4460 pF @ 25 V
-
350W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
UF3C120080B7S
UJ4SC075018B7S
750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Qorvo
2,095
现货
1 : ¥146.30000
剪切带（CT）
800 : ¥100.99624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
72A（Tc）
12V
23 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1414 pF @ 400 V
-
259W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。