单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.2A（Ta）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 10A，10V32 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 4.5 V45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
655 pF @ 10 V1825 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
490mW（Ta），5W（Tc）5W（Ta），62.5W（Tc）
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8TO-236AB
封装/外壳
PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV30UN2R
MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
139,317
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.85741
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.2V，4.5V
32 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
655 pF @ 10 V
-
490mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK SO-8
SI7852ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,599
现货
1 : ¥17.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.00937
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
30A（Tc）
8V，10V
17 毫欧 @ 10A，10V
4.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1825 pF @ 40 V
-
5W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。