单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）20A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27 毫欧 @ 10A，5V50 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.2 nC @ 4.5 V18.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
436 pF @ 10 V1260 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）1.75W（Ta），74W（Tc）
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AO3414
MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
764,051
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.67385
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
436 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
DPAK_369C
NTD20N03L27T4G
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
onsemi
2,032
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.20620
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4V，5V
27 毫欧 @ 10A，5V
2V @ 250µA
18.9 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 25 V
-
1.75W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。