单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-SIPMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA(Ta)8.83A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V6.2V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
300 毫欧 @ 10A,6.2V750 毫欧 @ 430mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.622 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
59.76 pF @ 16 V420 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
310mW(Ta)42W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO252-3SOT-323
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
249,395
现货
1,566,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48192
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TO252-3
SPD08P06PGBTMA1
MOSFET P-CH 60V 8.83A TO252-3
Infineon Technologies
8,755
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.01621
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.83A(Ta)
6.2V
300 毫欧 @ 10A,6.2V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。