单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.15A（Ta）1.5A（Ta）2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
250 毫欧 @ 1.5A，10V280 毫欧 @ 1.5A，10V300 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA3V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-20V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
330 pF @ 10 V500 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）730mW（Ta）1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）SOT-23FTSMT3
封装/外壳
SC-96SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
264,450
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4V，10V
300 毫欧 @ 1A，10V
2V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
+10V，-20V
330 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TSMT3
RSR015P06HZGTL
MOSFET P-CH 60V 1.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
8,979
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.96135
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.5A（Ta）
4V，10V
280 毫欧 @ 1.5A，10V
3V @ 1mA
10 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSMT3
SC-96
SOT-23(TO-236)
SI2328DS-T1-BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
11,854
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.58518
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.15A（Ta）
10V
250 毫欧 @ 1.5A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
-
-
730mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。