单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）500mA（Ta）630mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
400 毫欧 @ 600mA，4.5V580 毫欧 @ 500mA，4.5V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V4 nC @ 4 V
Vgs（最大值）
±6V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V60 pF @ 10 V60.67 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）280mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SMT3SOT-23-3SOT-523
封装/外壳
SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
368,017
现货
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43427
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
124,807
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SMT3
RJK005N03T146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
Rohm Semiconductor
17,897
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83046
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
500mA（Ta）
2.5V，4.5V
580 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 1mA
4 nC @ 4 V
±12V
60 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。