单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Micro Commercial Coonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.4A（Ta），22A（Tc）25A
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 20A，10V53 毫欧 @ 4.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.7 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 30 V3905 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），104W（Tc）60W（Tj）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）DFN3333
封装/外壳
8-PowerTDFN8-VDFN 裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMS86263P
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
onsemi
5,808
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.74705
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.4A（Ta），22A（Tc）
6V，10V
53 毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±25V
3905 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
MCG30N03A-TP
MCG25P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DFN3333
Micro Commercial Co
8,599
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.56264
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A
4.5V，10V
50 毫欧 @ 20A，10V
2.7V @ 250µA
18.7 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
60W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN3333
8-VDFN 裸露焊盘
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。