单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™-5TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）4.6A（Tc）17A（Ta），63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.8 毫欧 @ 31A，10V52 毫欧 @ 4A，10V85 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3.4V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11.7 nC @ 10 V16 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
464 pF @ 15 V1100 pF @ 20 V1140 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
1.4W3W（Ta），42W（Tc）3.75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TA）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICPG-TDSON-8 FLSOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3402LQ-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
19,342
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96931
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SQ9407EY-T1_GE3
MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Vishay Siliconix
15,654
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.85938
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.6A（Tc）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1140 pF @ 30 V
-
3.75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
ISC015N04NM5
ISC058N04NM5ATMA1
40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Infineon Technologies
27,802
现货
1 : ¥9.60000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.77045
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
17A（Ta），63A（Tc）
7V，10V
5.8 毫欧 @ 31A，10V
3.4V @ 13µA
16 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 20 V
-
3W（Ta），42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。