单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Microchip TechnologySTMicroelectronics
系列
-PowerMESH™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
500 V1500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30mA（Tj）8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.5 欧姆 @ 4A，10V1000 欧姆 @ 500µA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA-
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10 pF @ 25 V3255 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta）320W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-89-3TO-247-3
封装/外壳
TO-243AATO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C04-029 MB
LND150N8-G
MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
Microchip Technology
39,898
现货
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
2,000 : ¥4.92561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
30mA（Tj）
0V
1000 欧姆 @ 500µA，0V
-
-
±20V
10 pF @ 25 V
耗尽模式
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-89-3
TO-243AA
TO-247-3 HiP
STW9N150
MOSFET N-CH 1500V 8A TO247-3
STMicroelectronics
63
现货
1 : ¥82.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
1500 V
8A（Tc）
10V
2.5 欧姆 @ 4A，10V
5V @ 250µA
89.3 nC @ 10 V
±30V
3255 pF @ 25 V
-
320W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。