单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）1.2A（Ta）7.2A（Ta），23.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 7A，10V365 毫欧 @ 1.2A，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V549 pF @ 50 V1377 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）300mW（Ta）710mW（Ta），8.3W（Tc）1.9W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TO-236ABTO-252-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
102,805
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98625
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138Q-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
8,904
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40499
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV240SPR
MOSFET P-CH 100V 1.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
19,016
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16802
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.2A（Ta）
-
365 毫欧 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±25V
549 pF @ 50 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMPH6050SK3-13
MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
Diodes Incorporated
34,704
现货
122,500
工厂
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.02173
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.2A（Ta），23.6A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1377 pF @ 30 V
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。