单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™SuperFET® III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
40 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 50A，10V67 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4V @ 3.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2600 pF @ 20 V3750 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），69W（Tc）266W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-6TO-247-4
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Infineon Technologies
17,130
现货
1 : ¥12.31000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.83787
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
NVH4L080N120SC1
NTH4LN067N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
311
现货
1 : ¥74.71000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
40A（Tc）
10V
67 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 3.9mA
80 nC @ 10 V
±30V
3750 pF @ 400 V
-
266W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。