单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
OptiMOS™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
25 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
41A（Ta），100A（Tc）222A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.9 毫欧 @ 30A，10V2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA4V @ 700µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
57 nC @ 10 V152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3900 pF @ 12 V11180 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），74W（Tc）45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7TO-220F
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-220-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC009NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
Infineon Technologies
181
现货
1 : ¥17.32000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.50873
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
41A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
0.9 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±16V
3900 pF @ 12 V
-
2.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
TO-220F
FDPF2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220F
onsemi
1,299
现货
1 : ¥54.26000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
222A（Tc）
10V
2.3 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 700µA
152 nC @ 10 V
±20V
11180 pF @ 50 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。