单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)540mA(Ta)4A(Ta)7.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
35 毫欧 @ 4A,4.5V55 毫欧 @ 3A,4.5V550 毫欧 @ 540mA,4.5V3.5 欧姆 @ 220mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10.4 nC @ 4.5 V23.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 10 V150 pF @ 16 V630 pF @ 10 V2400 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)1W(Ta)2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-23FSOT-323TSOT-23-6
封装/外壳
SC-70,SOT-323SOT-23-3 扁平引线SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
856,031
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.41599
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
200mA(Ta)
10V
3.5 欧姆 @ 220mA,10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-323
DMN2004WK-7
MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323
Diodes Incorporated
295,771
现货
5,883,000
工厂
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54779
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
540mA(Ta)
1.8V,4.5V
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
17,647
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62275
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.5V,4.5V
55 毫欧 @ 3A,4.5V
1V @ 1mA
10.4 nC @ 4.5 V
±8V
630 pF @ 10 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
AP6320x
DMP2035UVTQ-7
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
Diodes Incorporated
8,279
现货
219,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10822
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
7.2A(Ta)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 4A,4.5V
1.5V @ 250µA
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2400 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。