单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedNexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）190mA（Ta），300mA（Tc）220mA（Ta）20A（Ta）60A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 25A，10V7.3 毫欧 @ 10A，10V10.2 毫欧 @ 8A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA1.8V @ 250µA1.9V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V15 nC @ 10 V22.2 nC @ 10 V30 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V27 pF @ 25 V50 pF @ 25 V998 pF @ 15 V1590 pF @ 15 V4420 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
265mW（Ta），1.33W（Tc）350mW（Ta）370mW（Ta）2.8W（Ta），108W（Tc）3.2W（Ta），29W（Tc）3.2W（Ta），37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSONP（3x3.3）SOT-23SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
32,049
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21841
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
419,798
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
64,101
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.27357
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
2.3 毫欧 @ 25A，10V
1.8V @ 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），108W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-VSONP
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
38,643
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.34438
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
10.2 毫欧 @ 8A，10V
1.9V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
998 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
8-VSONP
CSD17578Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
Texas Instruments
23,759
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.82236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta）
4.5V，10V
7.3 毫欧 @ 10A，10V
1.9V @ 250µA
22.2 nC @ 10 V
±20V
1590 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
217,801
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。