单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ P7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
600 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A(Tc)18A(Tc)25A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
135 毫欧 @ 13A,10V180 毫欧 @ 5.6A,10V1.4 欧姆@ 700mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 40µA4V @ 250µA4V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.7 nC @ 10 V25 nC @ 10 V116 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
158 pF @ 400 V1081 pF @ 400 V2815 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
23W(Tc)72W(Tc)202W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TO252-3PowerPAK® 8 x 8
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Infineon Technologies
35,802
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.57628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
18A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4V @ 280µA
25 nC @ 10 V
±20V
1081 pF @ 400 V
-
72W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD70R1K4P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3
Infineon Technologies
15,436
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.81837
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
700 V
4A(Tc)
10V
1.4 欧姆@ 700mA,10V
3.5V @ 40µA
4.7 nC @ 10 V
±16V
158 pF @ 400 V
-
23W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK 8 x 8
SIHH26N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A PPAK 8 X 8
Vishay Siliconix
5,801
现货
1 : ¥44.33000
剪切带(CT)
3,000 : ¥21.56305
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
25A(Tc)
10V
135 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
116 nC @ 10 V
±30V
2815 pF @ 100 V
-
202W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
8-PowerTDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。