单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta），300mA（Tc）1.8A（Ta）3.3A（Ta）3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V1.8V，4.5V2.5V，4.5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
55 毫欧 @ 2.4A，4.5V72 毫欧 @ 4.2A，10V85 毫欧 @ 1.6A，4.5V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V8.5 nC @ 4.5 V11 nC @ 4.5 V15.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V675 pF @ 10 V708 pF @ 15 V1000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
265mW（Ta），1.33W（Tc）420mW（Ta）510mW（Ta）700mW（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
32,049
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21841
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
onsemi
67,194
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71689
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.8A（Ta）
1.8V，4.5V
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
675 pF @ 10 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3068L-7
MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
Diodes Incorporated
171,528
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62414
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.3A（Ta）
1.8V，10V
72 毫欧 @ 4.2A，10V
1.3V @ 250µA
15.9 nC @ 10 V
±12V
708 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV48XP,215
MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
14,791
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.47868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
2.5V，4.5V
55 毫欧 @ 2.4A，4.5V
1.25V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
1000 pF @ 10 V
-
510mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。