单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V60 V100 V400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）900mA（Ta）2A（Tc）5.6A（Tc）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
26 毫欧 @ 6A，4.5V220 毫欧 @ 900mA，4.5V540 毫欧 @ 3.4A，10V3.6 欧姆 @ 1.2A，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA3V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V17 nC @ 10 V25 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V109 pF @ 10 V170 pF @ 25 V180 pF @ 25 V1699 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）830mW（Ta）1.6W（Ta）36W（Tc）43W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
SOT-23-3SuperSOT™-6TO-220ABTO-92-3
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-220-3TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
onsemi
29,945
现货
1 : ¥3.94000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87714
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.5V，4.5V
220 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±12V
109 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-92-3 Formed Leads
BS170-D26Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
onsemi
22,099
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
2,000 : ¥0.85772
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
500mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
TO-220AB
IRF710PBF
MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Vishay Siliconix
6,631
现货
1 : ¥6.16000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
2A（Tc）
10V
3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
36W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Vishay Siliconix
46,683
现货
1 : ¥6.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5.6A（Tc）
10V
540 毫欧 @ 3.4A，10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
43W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SG6858TZ
FDC606P
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
onsemi
7,590
现货
18,000
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.97433
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Ta）
1.8V，4.5V
26 毫欧 @ 6A，4.5V
1.5V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1699 pF @ 6 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。