单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Nexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A(Ta)6.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
20 毫欧 @ 6.2A,10V120 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
380 pF @ 6 V600 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
400mW(Ta),2.8W(Tc)1.3W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
3-SMD,SOT-23-3 变式TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
AOSS32334C
MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
7,402
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74212
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
20 毫欧 @ 6.2A,10V
2.3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
TO-236AB
NX2301P,215
MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
143,881
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62737
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2A(Ta)
2.5V,4.5V
120 毫欧 @ 1A,4.5V
1.1V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±8V
380 pF @ 6 V
-
400mW(Ta),2.8W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。