单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）150mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）1.41A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 1A，4.5V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V2 欧姆 @ 150mA，4.5V3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA
Vgs（最大值）
±6V±8V±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.5 pF @ 10 V12 pF @ 10 V12.3 pF @ 15 V25 pF @ 10 V106 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
100mW（Ta）125mW（Ta）150mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
3-XDFN（0.42x0.62）EMT3F（SOT-416FL）VML0604VML0806X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-SMD，无引线3-UFDFN3-XFDFNSC-89，SOT-490
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,457,655
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.31154
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
VML0806
RV1C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0806
Rohm Semiconductor
758,000
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.34654
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
150mA（Ta）
1.2V，4.5V
2 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
12 pF @ 10 V
-
100mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VML0806
3-SMD，无引线
VML0604
RV3CA01ZPT2CL
MOSFET P-CH 20V 100MA VML0604
Rohm Semiconductor
14,849
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.39305
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100mA（Ta）
1.5V，4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
7.5 pF @ 10 V
-
100mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VML0604
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN1150UFB-7B
MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN
Diodes Incorporated
24,659
现货
300,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.52272
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
1.41A（Ta）
1.8V，4.5V
150 毫欧 @ 1A，4.5V
1V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
106 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
3-XDFN
NTNS0K8N021ZTCG
MOSFET N-CH 20V 220MA 3XDFN
onsemi
3,884
现货
1 : ¥5.34000
剪切带（CT）
8,000 : ¥1.92315
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
220mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
12.3 pF @ 15 V
-
125mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
3-XDFN（0.42x0.62）
3-XFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。