单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Littelfuse Inc.Microchip TechnologyToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PolarU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
6 V20 V30 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）10A（Tc）32A（Ta），85A（Tc）60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，4.5V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 30A，4.5V4.5 毫欧 @ 20A，10V84 毫欧 @ 100mA，4.5V1 欧姆 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA1.2V @ 250µA2.6V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
50 nC @ 10 V105 nC @ 10 V182 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
6V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2840 pF @ 25 V3505 pF @ 15 V10900 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
270mW（Ta）7.3W（Ta），83W（Tc）78W（Tc）300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN（5x6）8-SOP Advance（5x5）SC-70-6TO-263AA
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerSMD，扁平引线8-PowerVDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON6407
MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
35,783
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.20293
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
32A（Ta），85A（Tc）
6V，10V
4.5 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±25V
3505 pF @ 15 V
-
7.3W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerSMD，扁平引线
16,612
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.48679
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
2.5V，4.5V
1.7 毫欧 @ 30A，4.5V
1.2V @ 1mA
182 nC @ 5 V
±12V
10900 pF @ 10 V
-
78W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
SOT-363
MIC94053YC6-TR
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
Microchip Technology
5,013
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.13084
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
6 V
2A（Ta）
1.8V，4.5V
84 毫欧 @ 100mA，4.5V
1.2V @ 250µA
-
6V
-
-
270mW（Ta）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-70-6
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
TO-263AB
IXTA10P50P-TRL
MOSFET P-CH 500V 10A TO263
Littelfuse Inc.
33,559
现货
1 : ¥54.35000
剪切带（CT）
800 : ¥34.25813
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
10A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 5A，10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±20V
2840 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。