单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）2A（Ta）5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 5.8A，10V105 毫欧 @ 2A，4.5V450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.74 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
60.67 pF @ 16 V386 pF @ 15 V770 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
290mW（Ta）720mW（Ta）800mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-323TUMT3
封装/外壳
3-SMD，扁平引线SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1012UW-7
MOSFET N-CH 20V 1A SOT323
Diodes Incorporated
539,400
现货
7,800,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48192
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
290mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
15,339
现货
1,791,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59843
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TUMT3
RZF020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Rohm Semiconductor
9,928
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27245
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2A（Ta）
1.5V，4.5V
105 毫欧 @ 2A，4.5V
1V @ 1mA
6.5 nC @ 4.5 V
±10V
770 pF @ 6 V
-
800mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TUMT3
3-SMD，扁平引线
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。