单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
-HEXFET®U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）1.2A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V250 毫欧 @ 910mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.95 nC @ 10 V5 nC @ 10 V12.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.2 pF @ 25 V85 pF @ 25 V840 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
380mW（Ta）540mW（Ta）1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
758,067
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
167,600
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138K-13
MOSFET N-CH 50V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
396,069
现货
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.33265
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
310mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
0.95 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
380mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。