单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
QFET®SIPMOS®U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V250 V400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）430mA（Ta）4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 欧姆 @ 2.25A，10V1.5 欧姆 @ 100mA，10V4 欧姆 @ 430mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 370µA2.1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V15.1 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 10 V262 pF @ 25 V625 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）1.8W（Ta）2.5W（Ta），48W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT223-4SOT-23-3TO-252AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
310,185
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21990
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-4
BSP317PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Infineon Technologies
7,204
现货
1 : ¥6.81000
剪切带（CT）
1,000 : ¥2.91194
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
430mA（Ta）
4.5V，10V
4 欧姆 @ 430mA，10V
2V @ 370µA
15.1 nC @ 10 V
±20V
262 pF @ 25 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4，TO-261AA
TO-252AA
FQD6N40CTM
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.56561
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
400 V
4.5A（Tc）
10V
1 欧姆 @ 2.25A，10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±30V
625 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。