单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
OptiMOS™OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
300mA（Ta）15A（Ta），40A（Tc）24A（Ta），40A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 20A，10V6.3 毫欧 @ 20A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V650 pF @ 20 V1800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）2.5W（Ta），38W（Tc）2.5W（Ta），75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
116,389
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSDSON-8
BSZ063N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Infineon Technologies
12,518
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.39120
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
6.3 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ024N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/40A TSDSON
Infineon Technologies
89,244
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.62068
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
2.4 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。