单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.6A（Ta）22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
41 毫欧 @ 5A，10V50 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.2 nC @ 5 V11.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
495 pF @ 15 V880 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
770mW（Ta）45W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8SOT-23-3
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y43-60E,115
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
6,813
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
1,500 : ¥2.53696
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
22A（Tc）
5V
41 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 1mA
8.2 nC @ 5 V
±10V
880 pF @ 25 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
SOT-23-3
DMG3406L-13
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Diodes Incorporated
144,156
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.51609
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 3.6A，10V
2V @ 250µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
495 pF @ 15 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。