单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolMOS™ CPSTripFET™ IIU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V200 V250 V300 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）300mA（Ta）310mA（Ta）375mA（Ta）14A（Tc）31A（Tc）33A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V2.7V，10V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 16.5A，10V105 毫欧 @ 18A，10V235 毫欧 @ 6.5A，10V2.5 欧姆 @ 160mA，10V4 欧姆 @ 300mA，10V5 欧姆 @ 300mA，10V8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA（最小）1.8V @ 1mA2V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 1.2mA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3 nC @ 10 V3.65 nC @ 10 V7.6 nC @ 10 V18 nC @ 10 V22 nC @ 10 V80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
70 pF @ 48 V72 pF @ 25 V120 pF @ 25 V187.3 pF @ 25 V680 pF @ 25 V2200 pF @ 100 V2800 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）417mW（Ta）1.5W（Ta）2W（Ta）78W（Tc）100W（Tc）255W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）DPAKPG-TO263-3-2SOT-223SOT-223-3SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-261-4，TO-261AATO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
ZVN4525GTA
MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
Diodes Incorporated
6,135
现货
213,000
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.20399
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
310mA（Ta）
2.5V，10V
8.5 欧姆 @ 500mA，10V
1.8V @ 1mA
3.65 nC @ 10 V
±40V
72 pF @ 25 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16NF25
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
STMicroelectronics
1,727
现货
1 : ¥15.27000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.87285
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
14A（Tc）
10V
235 毫欧 @ 6.5A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
17,075
现货
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.58893
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
33A（Ta）
10V
29 毫欧 @ 16.5A，10V
4V @ 1mA
22 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 100 V
-
78W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
SOT223
BSP126,115
MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
Nexperia USA Inc.
74,546
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.56300
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
375mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 300mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
120 pF @ 25 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-236AB
BSH201,215
MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
19,303
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
2.5 欧姆 @ 160mA，10V
1V @ 1mA（最小）
3 nC @ 10 V
±20V
70 pF @ 48 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN30H4D0L-7
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23
Diodes Incorporated
18,159
现货
78,000
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.50928
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
250mA（Ta）
2.7V，10V
4 欧姆 @ 300mA，10V
3V @ 250µA
7.6 nC @ 10 V
±20V
187.3 pF @ 25 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R099CPAATMA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Infineon Technologies
355
现货
1 : ¥69.29000
剪切带（CT）
1,000 : ¥39.31167
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
31A（Tc）
10V
105 毫欧 @ 18A，10V
3.5V @ 1.2mA
80 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 100 V
-
255W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。