单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）580mA（Ta）1A（Ta）3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
62 毫欧 @ 4.2A，4.5V300 毫欧 @ 1.1A，4.5V1 欧姆 @ 100mA，4.5V2.8 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 8 V1 nC @ 10 V5 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22.2 pF @ 30 V46.1 pF @ 10 V195 pF @ 10 V487 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
380mW（Ta），2.8W（Tc）500mW（Ta）510mW（Ta）800mW（Ta）
供应商器件封装
DFN0606-3SOT-23-3X2-DFN1006-3
封装/外壳
3-XFDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
428,069
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56155
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.8A（Ta）
1.8V，4.5V
62 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
NDS332P
MOSFET P-CH 20V 1A SUPERSOT3
onsemi
111,311
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.27803
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
2.7V，4.5V
300 毫欧 @ 1.1A，4.5V
1V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±8V
195 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DFN0606-3
NX7002BKHH
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
26,887
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.28191
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
4.5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
22.2 pF @ 30 V
-
380mW（Ta），2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMP21D6UFB4-7B
MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
Diodes Incorporated
340
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.68840
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
580mA（Ta）
1.8V，4.5V
1 欧姆 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 8 V
±8V
46.1 pF @ 10 V
-
510mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。