单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）190mA（Ta），300mA（Tc）2.6A（Tc）7.3A（Tc）22A（Ta），76A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.1mOhm @ 22A，10V105 毫欧 @ 4.5A，10V144 毫欧 @ 1.9A，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V12 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.7V @ 100µA2.1V @ 250µA2.5V @ 2mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V4 nC @ 10 V17.2 nC @ 10 V130 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.1 pF @ 3 V20 pF @ 10 V105 pF @ 30 V969 pF @ 30 V5850 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）1.2W（Ta）1.6W（Tc）3W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPS-MiniSOT-23-3（TO-236）TO-236ABTSOT-23-6
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
39,509
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21840
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AP6320x
DMP6110SVT-7
MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Diodes Incorporated
65,522
现货
1,077,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.66937
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.3A（Tc）
4.5V，10V
105 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2 nC @ 10 V
±20V
969 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-23-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
HSOP8
RS1E220ATTB1
MOSFET P-CH 30V 22A/76A 8HSOP
Rohm Semiconductor
8,281
现货
1 : ¥21.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.77047
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22A（Ta），76A（Tc）
4.5V，10V
4.1mOhm @ 22A，10V
2.5V @ 2mA
130 nC @ 10 V
±20V
5850 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
23,301
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30227
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
12 欧姆 @ 10mA，4V
1.7V @ 100µA
-
±20V
9.1 pF @ 3 V
-
200mW（Ta）
150°C
表面贴装型
S-Mini
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2308CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82397
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.6A（Tc）
4.5V，10V
144 毫欧 @ 1.9A，10V
3V @ 250µA
4 nC @ 10 V
±20V
105 pF @ 30 V
-
1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。