单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesTexas Instruments
系列
-NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）13.1A（Ta），43A（Tc）40A（Tc）124A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.3 毫欧 @ 19A，10V6.5 毫欧 @ 20A，10V9.5 毫欧 @ 18A，10V95 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.3V @ 20µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 4.5 V13 nC @ 4.5 V37 nC @ 10 V61 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
254 pF @ 25 V1800 pF @ 30 V2075 pF @ 15 V4280 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
650mW（Ta）1.6W（Ta）46W（Tc）96W（Tc）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）PG-TSDSON-8-FLSOT-23-3TO-252-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
524,122
现货
279,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57758
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
254 pF @ 25 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-252-2
DMN3010LK3-13
MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
Diodes Incorporated
2,739
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.94006
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.1A（Ta），43A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
2075 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
CSD18513Q5A
MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON
Texas Instruments
6,387
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.79147
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
124A（Tc）
4.5V，10V
5.3 毫欧 @ 19A，10V
2.4V @ 250µA
61 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 20 V
-
96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ065N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥11.08000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.38054
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40A（Tc）
4.5V，10V
6.5 毫欧 @ 20A，10V
2.3V @ 20µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1800 pF @ 30 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。