单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
OptiMOS™OptiMOS™ 6TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Tc)12A(Ta),40A(Tc)23A(Ta), 192A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.7 毫欧 @ 50A,10V9.7 毫欧 @ 20A,10V72 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 14µA2V @ 1mA3.3V @ 116µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24 nC @ 10 V72.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1690 pF @ 25 V1900 pF @ 20 V5500 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),35W(Tc)3W(Ta), 217W(Tc)8W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLPG-TSDSON-8SOT-223
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
BUK9875-100A/CUX
MOSFET N-CH 100V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
32,560
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
1,000 : ¥2.99025
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
7A(Tc)
4.5V,10V
72 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 1mA
-
±10V
1690 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
8-Power TDFN
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
7,254
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.78269
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
9.7 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
5,278
现货
1 : ¥32.18000
剪切带(CT)
5,000 : ¥15.03030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Ta), 192A(Tc)
8V,10V
2.7 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 116µA
72.5 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 50 V
-
3W(Ta), 217W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
显示
/ 3

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。