单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA(Ta)220mA(Ta)40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 20A,10V3 欧姆 @ 500mA,10V10 欧姆 @ 100mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA2V @ 1mA2.3V @ 36µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
27 pF @ 25 V45 pF @ 25 V3100 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
200mW(Ta)350mW(Ta)69W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FLSOT-23SOT-323
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS84W-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
Diodes Incorporated
362,945
现货
6,102,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59042
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
5V
10 欧姆 @ 100mA,5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
TSDSON-8
BSZ040N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Infineon Technologies
62,102
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.73104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
40A(Tc)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 36µA
6.6 nC @ 4.5 V
±20V
3100 pF @ 30 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
103,142
现货
1 : ¥1.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.22871
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。