单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
漏源电压（Vdss）
40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）17A（Ta），81A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.4 毫欧 @ 50A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 1mA4V @ 27µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V2800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）2.5W（Ta），57W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5TO-92-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
2N7000
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
onsemi
51,690
现货
1 : ¥4.02000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
8-Power TDFN
BSC054N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 17A/81A TDSON
Infineon Technologies
30,298
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.09374
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
17A（Ta），81A（Tc）
10V
5.4 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 27µA
34 nC @ 10 V
±20V
2800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。