单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）18A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0.9V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 30A，10V2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
800mV @ 1mA2V @ 250µA
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
26 pF @ 10 V1100 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）2.1W（Ta），37W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8-FLVMT3
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-723
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
VMT3 Pkg
RYM002N05T2CL
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
386,378
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.65295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
0.9V，4.5V
2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
800mV @ 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VMT3
SOT-723
TSDSON-8
ISZ040N03L5ISATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
Infineon Technologies
19,765
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.22974
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。