单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）1A（Ta）1.4A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.5V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
35 毫欧 @ 4A，4.5V250 毫欧 @ 1.4A，4.5V254 毫欧 @ 900mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.25V @ 250µA1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V1.65 nC @ 4.5 V2.7 nC @ 4.5 V23.1 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V81 pF @ 15 V89 pF @ 15 V2400 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
342mW（Ta）350mW（Ta）350mW（Ta），6.25W（Tc）1.2W（Ta）
供应商器件封装
DFN1006B-3SOT-323TO-236ABTSOT-26
封装/外壳
3-XFDFNSC-70，SOT-323SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
468,480
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33697
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
PMF250XNEX
MOSFET N-CH 30V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
89,368
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49127
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1A（Ta）
2.5V，4.5V
254 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.25V @ 250µA
1.65 nC @ 4.5 V
±12V
81 pF @ 15 V
-
342mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
3-XQFN
PMZB200UNEYL
MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
25,890
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.52335
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
1.5V，4.5V
250 毫欧 @ 1.4A，4.5V
950mV @ 250µA
2.7 nC @ 4.5 V
±8V
89 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
TSOT-26
DMP2035UVT-7
MOSFET P-CH 20V 6A TSOT26
Diodes Incorporated
72,999
现货
1,017,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.8V，4.5V
35 毫欧 @ 4A，4.5V
1.5V @ 250µA
23.1 nC @ 4.5 V
±12V
2400 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。