单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）13.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 20A，10V8.5 毫欧 @ 13.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.9 nC @ 10 V120 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1009 pF @ 15 V8237 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
860mW（Ta）2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICU-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS4465
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
onsemi
12,175
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.59024
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
13.5A（Ta）
1.8V，4.5V
8.5 毫欧 @ 13.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
120 nC @ 4.5 V
±8V
8237 pF @ 10 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
U-DFN2020-6 Type F
DMT35M4LFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
3,953
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.35271
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
14.9 nC @ 10 V
±20V
1009 pF @ 15 V
-
860mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
U-DFN2020-6（F 类）
6-UDFN 裸露焊盘
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。