单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Tc)13.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 20A,10V8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
14.9 nC @ 10 V120 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1009 pF @ 15 V8237 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
860mW(Ta)2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-SOICU-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS4465
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
onsemi
12,175
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.59024
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13.5A(Ta)
1.8V,4.5V
8.5 毫欧 @ 13.5A,4.5V
1.5V @ 250µA
120 nC @ 4.5 V
±8V
8237 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type F
DMT35M4LFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
3,953
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.35271
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 20A,10V
2.5V @ 250µA
14.9 nC @ 10 V
±20V
1009 pF @ 15 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。