单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）1.1A（Ta）1.2A（Ta）1.4A（Ta）1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 930mA，4.5V210 毫欧 @ 1.4A，10V250 毫欧 @ 910mA，10V350 毫欧 @ 600mA，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（最小）1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 10 V3.4 nC @ 4.5 V4.8 nC @ 10 V5 nC @ 10 V6.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V85 pF @ 25 V140 pF @ 25 V160 pF @ 15 V206 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）540mW（Ta）625mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXM61P03FTA
MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Diodes Incorporated
88,770
现货
753,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15571
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A（Ta）
4.5V，10V
350 毫欧 @ 600mA，10V
1V @ 250µA
4.8 nC @ 10 V
±20V
140 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
160,156
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.2A（Ta）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 910mA，10V
1V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXM61N02FTA
MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Diodes Incorporated
41,585
现货
2,106,000
工厂
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.08998
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.7A（Ta）
2.7V，4.5V
180 毫欧 @ 930mA，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
3.4 nC @ 4.5 V
±12V
160 pF @ 15 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP3A13FTA
MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
Diodes Incorporated
34,294
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.28413
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.4A（Ta）
4.5V，10V
210 毫欧 @ 1.4A，10V
1V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±20V
206 pF @ 15 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
95,299
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.18955
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。