单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-SIPMOS®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA（Ta）230mA（Ta）400mA（Tc）900mA（Ta）3.7A（Ta）3.8A（Ta）8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V1.8V，4.5V2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 5A，10V39 毫欧 @ 4.7A，4.5V65 毫欧 @ 3.8A，10V600 毫欧 @ 610mA，4.5V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 8µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.68 nC @ 4.5 V0.72 nC @ 4.5 V2.1 nC @ 5 V3.5 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 4.5 V19 nC @ 4.5 V22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28 pF @ 25 V46 pF @ 15 V50 pF @ 15 V150 pF @ 15 V563 pF @ 25 V1020 pF @ 10 V1300 pF @ 50 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
350mW（Ta），1.14W（Tc）500mW（Ta）625mW（Ta）750mW（Ta）1.08W（Ta）2W（Ta）
供应商器件封装
8-SOPPG-SOT23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXM61P02FTA
MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Diodes Incorporated
27,746
现货
816,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.02253
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
900mA（Ta）
2.7V，4.5V
600 毫欧 @ 610mA，4.5V
1.5V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
150 pF @ 15 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2323DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
Vishay Siliconix
54,686
现货
1 : ¥5.83000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.20355
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.7A（Ta）
1.8V，4.5V
39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
1V @ 250µA
19 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
750mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
NX3008PBK,215
MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
138,472
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36556
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
230mA（Ta）
2.5V，4.5V
4.1 欧姆 @ 200mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.72 nC @ 4.5 V
±8V
46 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
NX3008NBK,215
MOSFET N-CH 30V 400MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
306,878
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
400mA（Tc）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-13
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
11,675
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41789
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
121,106
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.26947
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
21mA（Ta）
0V，10V
500 欧姆 @ 16mA，10V
1.6V @ 8µA
2.1 nC @ 5 V
±20V
28 pF @ 25 V
耗尽模式
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
GSFQ1504
GSFQ1008
MOSFET, N-CH, SINGLE, 8A, 100V,
Good-Ark Semiconductor
5,260
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80337
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
8A（Ta）
4.5V，10V
15 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。